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マスクアライナ

厚膜/薄膜のコーティングレイヤー用途に最適洗練された露光光学系を持つズース マイクロテックのマスクアライナは最高のアライメント精度を誇ります。研究・開発用の装置から、全自動大量生産用装置まで幅広い製品を揃えています。ズース マイクロテックのマスクアライナは、特に MEMS、アドバンスドパッケージ、3次元パッケージング、化合物半導体、パワーデバイス、太陽光発電、ナノテクノロジー、ウエハレベルオプティクスの分野のリソグラフィー用途に使用されています。

MA/BA Gen4 PRO

MA/BA Gen4 PRO

MA/BA Gen4 Proシリーズは、SÜSS MicroTecsのセミオート式 マスクアライナの中で最も汎用性・拡張性の高いプラットフォームで設計されており、広範囲におけるプロセス用途に使用することが可能です。対応基板サイズは最大で150x150mmまたは200x200mmの基板に対応しています。この装置は複数のツールタイプやオプションを有し、多くのプロセスに対して非常に優れた柔軟性を発揮し、研究開発だけでなく製造プロセスにも幅広く利用できます。熟練された装置コンセプトと最新式のテクノロジによって、MA/BA Gen4 Proは未来のテクノロジ開発を行なうための理想的な装置であると言えます。そして、MEMS、アドバンスドパッケージング、3次元積層、化合物半導体の分野での新しい業界基準を確立します。

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MA200 Gen3

MA200 Gen3

大量生産に特化したコンセプトが採用されているMA200 Gen3マスクアライナは、200mmまでの基板やウエハのオートメーション処理に適しています。 いくつもの革新的な機能とフルフィールドリソグラフィがひとつにまとめられたこのシステムは、3次元パッケージング、fan-out,、バンプなどのアドバンスドパッケージング分野での応用をはじめ、厚膜プロセスでのMEMS製造、段差ウエハでの3次元パターン形成、さらには化合物半導体やイメージセンサといったさまざまな用途に使用できます。

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MA100/150e Gen2

MA100/150e Gen2

2~6インチΦウエハ対応の低コストマスクアライナ。 MEMSや化合物半導体(LEDやLD)向けで薄くて脆いウエハや反りの大きなウエハにも使用可能。コンタクト露光モードでは1.0um ラインアンドスペースパターンの露光が可能で、ギャップ露光にも対応しています。アライメントは表面アライメント以外に裏面アライメント、IR透過アライメントにもオプション対応可能です。

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MA/BA6

MA/BA6

マスク/ボンドアライナ「MA/BA6」は、ウエハサイズ150mmまで対応可能な露光・アライメント装置です。MA/BA6はMEMS、光学部品の製造、化合物半導体などの用途に対して最適な装備を備えています。 また、この装置は多様性に優れており、研究・開発の分野だけでなく、生産環境に導入しても そのプロセスへの安定性を活かした高性能な実力を発揮します。

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DSC300 Gen2

DSC300 Gen2

最先端の投影リソグラフィ技術を採用したプロジェクションスキャナDSC300 Gen2 では、300mmまでのウエハを処理できます。この装置は、ウエハレベル・パッケージング、3次元パッケージング、バンプアプリケーションの用途に対応し、Cuピラーバンプやウエハレベル・チップスケール・パッケージなどの最新パッケージングの分野で理想的なソリューションを提供します。最新の投影スキャン技術を取り入れたこの装置は、高性能の光学系、正確なアライメント、高度な自動化を特徴とし、ウエハ内の優れた寸法均一性 (+/- 3%) も確保します。

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ELP300 Gen2

ELP300 Gen2

SÜSS MicroTecのウエハサイズ200~300mm向けELP300プラットフォームは、エキシマレーザー・ステッパ技術をベースとしています。このシステムは248/308nmエキシマレーザーとマスクを用いたドライエッチングプロセスやレーザーアブレーション機能に対応しており、高精度のパターン形成と位置合わせが可能です。

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